دیتاشیت SQS405ENW-T1_GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SQS405ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 94.677 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SQS405ENW-T1_GE3 |
SQS405ENW-T1_GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQS405ENW-T1_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 39W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@8V
- Drain Source Voltage (Vdss): 12V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 2650pF@6V
- Continuous Drain Current (Id): 16A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@13.5A,4.5V
- Package: PowerPAK1212-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
